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問答題
【簡答題】解釋為什么目前CMOS工藝中常采用多晶硅柵工藝，而不采用鋁柵工藝？
答案：
目前CMOS工藝中常采用多晶硅柵工藝，而不采用鋁柵工藝的原因是：
①采用自對準(zhǔn)方式，減小了晶體管的尺寸和柵電極...
①采用自對準(zhǔn)方式，減小了晶體管的尺寸和柵電極...
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問答題
【簡答題】在集成電路制造工藝中，輕摻雜漏（LDD）注入工藝是如何減少結(jié)和溝道區(qū)間的電場，從而防止熱載流子的產(chǎn)生？
答案：
如果沒有LDD形成，在晶體管正常工作時(shí)會在結(jié)和溝道區(qū)之間形成高電場，電子在從源區(qū)向漏區(qū)移動(dòng)的過程中，將受此電場加速成高能...
問答題
【簡答題】集成電路制造工藝中，主要有哪兩種隔離工藝？目前的主流深亞微米隔離工藝是哪種器件隔離工藝，為什么？
答案：
集成電路制造工藝中，主要有局部氧化工藝－LOCOS；淺槽隔離技術(shù)－STI兩種隔離工藝。主流深亞微米隔離工藝是：STI。S...
