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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】硅氣相外延工藝采用的襯底不是準(zhǔn)確的晶向，通常偏離（100）或（111）等晶向一個(gè)小角度，為什么？
答案：
從硅氣相外延工藝原理可知，硅外延生長(zhǎng)的表面外延過(guò)程是外延劑在襯底表面被吸附后分解出Si原子，他遷移到達(dá)結(jié)點(diǎn)位置停留，之后...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】比較硅單晶錠CZ、MCZ和FZ三種生長(zhǎng)方法的優(yōu)缺點(diǎn)？
答案：
CZ法工藝成熟可拉制大直徑硅錠，但受坩鍋熔融帶來(lái)的O等雜質(zhì)濃度高，存在一定雜質(zhì)分布，因此，相對(duì)于MCZ和FZ法，生長(zhǎng)的硅...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】從短期看，太陽(yáng)能電池的發(fā)展趨勢(shì)怎樣？
答案：
今后發(fā)展的重點(diǎn)仍是硅太陽(yáng)能電池特別是多晶硅和非晶硅薄膜電池，提高轉(zhuǎn)換效率和降低成本是太陽(yáng)能電池制備中考慮的兩個(gè)主要因素。...
