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單項(xiàng)選擇題

如圖所示的電路為N信道空乏型MOSFET的偏壓電路，設(shè)V_DD=+24V，R_D=1.2kΩ，R_G=10MΩ，MOSFET的ID_SS=9mA，V_P=－4.5V，則直流偏壓值為何？（）

A.V_GS=4.5V，I_D=9mA
B.V_GS=－4.5V，I_D=4.5mA
C.V_GS=0V，V_GS=18.6V
D.V_GS=0V，V_DS=4.5V
E.V_GS=0V，V_DS=13.2V

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單項(xiàng)選擇題

如圖所示，晶體管之β=40，使晶體管飽和之最小I_B為？（）

A.2mA
B.1mA
C.0.5mA
D.0.1mA

單項(xiàng)選擇題

制作晶體管時(shí)，各接腳區(qū)的摻雜濃度為（）

A.E>B>C
B.B>E>C
C.E>C>B
D.C>E>B