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問答題

【簡答題】什么是MOSFET的閾值電壓，它受哪些因素影響？

答案：閾值電壓V_t是使半導(dǎo)體表面達(dá)到強(qiáng)反型所需加的柵極電壓。它受襯底摻雜濃度、體效應(yīng)、半導(dǎo)體材料的費(fèi)米勢(shì)等的影響。

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【計(jì)算題】已知突變PN結(jié)零偏勢(shì)壘電容為3pF，內(nèi)建勢(shì)壘電壓為0.5V，計(jì)算10V反偏電壓時(shí)的勢(shì)壘電容。

答案：

【簡答題】與CMOS工藝相比，GaAs工藝有什么主要特點(diǎn)？

答案：與CMOS工藝相比，GaAs工藝具有速度高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。但其缺點(diǎn)是價(jià)格高、功耗大、成品率低。

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