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問答題

【計(jì)算題】

已知某DRAM芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)為128×128,存取周期為1us。試分析:
(1)若采用集中式刷新方式,刷新時(shí)間間隔為1ms,則讀寫時(shí)間和刷新時(shí)間分為多少個(gè)周期?死區(qū)占多少時(shí)間?
(2)若采用分散式刷新方式,則相鄰兩行之間的刷新間隔是多少?

答案:

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