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多項(xiàng)選擇題

關(guān)于費(fèi)米能級(jí)的說(shuō)法中，正確的有（）。

A.純硅的費(fèi)米能級(jí)位于帶隙正中央
B.摻雜了鋁的硅的費(fèi)米能級(jí)靠近價(jià)帶
C.摻雜了鍺的硅的費(fèi)米能級(jí)靠近導(dǎo)帶
D.施主型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)靠近價(jià)帶

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多項(xiàng)選擇題

對(duì)于純硅而言，進(jìn)行施主型摻雜以后（）。

A.電子濃度增大
B.硅的帶隙中出現(xiàn)了施主能級(jí)
C.少子數(shù)量增大
D.施主型載流子濃度就是多子濃度

多項(xiàng)選擇題

關(guān)于費(fèi)米分布函數(shù)的說(shuō)法，哪些是正確的？（）

A.它表明能量為E的狀態(tài)被占據(jù)的幾率
B.取值范圍為0%～100%
C.根據(jù)這個(gè)函數(shù)，溫度越高，導(dǎo)帶能級(jí)被占據(jù)的幾率越小
D.費(fèi)米能級(jí)被占據(jù)的幾率是50%

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