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多項(xiàng)選擇題

?P在兩歩擴(kuò)散工藝中，第二步再分布的同時(shí)又進(jìn)行了熱氧化（kp=10），這會(huì)給再分布擴(kuò)散帶來哪些影響？（）

A.P擴(kuò)散速度加快
B.擴(kuò)入Si的P總量下降
C.在SiO₂/Si界面Si一側(cè)的P耗竭（是指低于SiO₂一側(cè)）
D.在SiO₂/Si界面Si一側(cè)的P堆積（是指高于SiO₂一側(cè)）

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多項(xiàng)選擇題

?硅恒定源擴(kuò)散，在擴(kuò)散溫度硅的固溶度為N_s，在進(jìn)行了40min擴(kuò)散后，測得結(jié)深是1.5μm，若要獲得2.0μm的結(jié)深，在原工藝基礎(chǔ)上應(yīng)再擴(kuò)散多少分鐘？硅表面雜質(zhì)濃度是多少？（）

A.雜質(zhì)表面濃度< N_s
B.雜質(zhì)表面濃度=N_s
C.應(yīng)再擴(kuò)散71min
D.表面雜質(zhì)濃度等于該工藝溫度時(shí)硅的固溶度

單項(xiàng)選擇題

多晶硅薄膜通常采取哪種方法制備？（）

A.磁控濺射
B.VPE
C.LPCVD
D.APCVD

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