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問答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述CMOS IC工藝中的三種阱區(qū)形成工藝
答案：
高能量、低電流的離子注入；加熱退火/擴(kuò)散工藝；自對(duì)準(zhǔn)雙阱工藝。
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問答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述集成電路制造中的四種隔離技術(shù)
答案：
整面全*區(qū)覆蓋氧化層、局部硅氧化（LOCOS）、淺槽隔離（STI）、P型摻雜結(jié)也可以用于形成相鄰晶體管的電氣隔離。
問答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述CMP技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)
答案：
優(yōu)點(diǎn)：
（1）CMP可以將晶圓表面平坦化，可以允許高解析度的光刻技術(shù)。被平坦化的表面可以消除側(cè)壁變薄引起金屬導(dǎo)...
（1）CMP可以將晶圓表面平坦化，可以允許高解析度的光刻技術(shù)。被平坦化的表面可以消除側(cè)壁變薄引起金屬導(dǎo)...
