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單項選擇題

如圖所示，實驗電路伏特計所測量電壓為3V，則R值應接近多少？（）（注：伏特計內(nèi)阻為20kΩ；D為硅二極管）

A.1Ω
B.2Ω
C.8Ω
D.4Ω
E.6Ω

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單項選擇題

下列何種二極管的空乏區(qū)最窄？（）

A.發(fā)光二極管
B.透納二極管
C.變?nèi)荻O管
D.稽納二極管

單項選擇題

半導體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），利用空乏區(qū)可做成（）

A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非