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填空題
開(kāi)啟電壓（閾值電壓）的高低與柵下半導(dǎo)體中的（），柵氧化層的（）、（）、（）、（）等有關(guān)。載流子濃度越高，開(kāi)啟電壓的絕對(duì)值（）；柵氧化層厚度越厚，開(kāi)啟電壓的絕對(duì)值（）。
答案：
載流子濃度；厚度；固定電荷密度；可動(dòng)電荷密度；界面態(tài)密度；越高；越高
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填空題
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)啟電壓指的是：（）。所以，NMOS管的開(kāi)啟電壓為（），PMOS管的開(kāi)啟電壓為（）。
答案：
MOS管柵下半導(dǎo)體表面開(kāi)始強(qiáng)反型時(shí)的柵極電壓；正；負(fù)
填空題
光刻工藝的分辨率決定于：（）和曝光、顯影、刻蝕條件的正確控制。正膠的分辨率（）于負(fù)膠的分辨率；光刻膠越薄，分辨率越（）。
答案：
光刻機(jī)的分辨率、光刻膠的種類(lèi)、光刻膠的厚度、光刻膠的對(duì)比度；高；高
