單項(xiàng)選擇題

關(guān)于MOS電容，以下說(shuō)法正確的是（）

A.MOS電容是固定電容
B.MOS電容就是MOS柵氧化層電容
C.MOS電容在高頻和低頻時(shí)的特性是不一樣的
D.隨著柵電壓增加，MOS電容會(huì)減小

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已知一個(gè)MOS結(jié)構(gòu)，若不考慮金屬—半導(dǎo)體之間的功函數(shù)差及有效表面態(tài)電荷的影響，其閾值電壓為1V，若考慮金屬—半導(dǎo)體之間的功函數(shù)差及有效表面態(tài)電荷的影響，其閾值電壓為-1V，則（）

A.該結(jié)構(gòu)襯底為P型硅，是增強(qiáng)型MOS結(jié)構(gòu)
B.該結(jié)構(gòu)襯底為N型硅，是增強(qiáng)型MOS結(jié)構(gòu)
C.該結(jié)構(gòu)襯底為P型硅，是耗盡型MOS結(jié)構(gòu)
D.該結(jié)構(gòu)襯底為N型硅，是耗盡型MOS結(jié)構(gòu)

單項(xiàng)選擇題

一個(gè)以P-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中，（）

A.其柵氧化層厚度越小，閾值電壓越大
B.其襯底摻雜濃度越高，閾值電壓越大
C.其閾值電壓必定是負(fù)的
D.其襯底費(fèi)米勢(shì)肯定是負(fù)的

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關(guān)于MOS電容，以下說(shuō)法正確的是（）

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一個(gè)以P-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中，（）

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關(guān)于MOS電容，以下說(shuō)法正確的是（）