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判斷題

中子嬗變摻雜不能用于制備p型硅錠。

答案：正確

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CZ法、MCZ法拉單晶時必須有籽晶；而FZ法拉單晶時不需要籽晶。

答案：錯誤

多項選擇題

蒸鍍工藝要求蒸鍍室為高真空度的原因（）

A.為了避免蒸發(fā)分子（或原子）被氧化
B.為了降低鍍膜中的雜質
C.為了減小蒸發(fā)分子（或原子）的平均自由程
D.為了制備的鍍膜表面更平坦

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