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單項(xiàng)選擇題

單相可控硅要滿足由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箺l件，應(yīng)采取的措施是（）。

A.升高陽(yáng)極電壓
B.降低陰極電壓
C.斷開(kāi)陽(yáng)極電源
D.斷開(kāi)控制電路

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單項(xiàng)選擇題

單相可控硅由導(dǎo)通變?yōu)榻刂梗獫M足（）條件。

A.升高陽(yáng)極電壓
B.降低陰極電壓
C.斷開(kāi)控制電路
D.正向電流小于最小維持電流

單項(xiàng)選擇題

普通晶閘管門極與陰極間的反向電阻比正向電阻（）。

A.稍大
B.基本相等
C.明顯大一些
D.小一些