97免费在线观看视频,亚洲综合自拍网,黄色毛片免费观看,热久久综合网,免费看日产一区二区三区狠狠操av,久久久涩涩涩,在线精品免费视频,人人插天天干,久久91精品国产91久久

<abbr id="sm9cl"><output id="sm9cl"><blockquote id="sm9cl"></blockquote></output></abbr>

<pre id="sm9cl"><acronym id="sm9cl"></acronym></pre>

<dl id="sm9cl"></dl>

單項(xiàng)選擇題

?基于LSS理論，離子注入受到靶原子核與電子的阻止，（）。

A.核阻止和電子阻止是獨(dú)立的
B.核阻止本領(lǐng)>電子阻止本領(lǐng)
C.核阻止本領(lǐng)< 電子阻止本領(lǐng)
D.核阻止和電子阻止與入射離子能量無(wú)關(guān)

你可能感興趣的試題

單項(xiàng)選擇題

?CVD可分為低溫工藝、中溫工藝、高溫工藝，不同溫度制備的同種薄膜（如SiO₂）的密度（）

A.溫度升高，略有下降
B.與溫度無(wú)關(guān)
C.溫度升高，略有增加
D.都相同

單項(xiàng)選擇題

看圖判斷下列描述是否正確？（）

A.是有限源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)
B.是有限源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
C.是恒定源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
D.是恒定源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)

<ins id="kiqbc"></ins>