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多項(xiàng)選擇題

MCT是一種新型電力電子器件，具有以下特點(diǎn)（）。

A.通態(tài)壓降小，約為1.1V，僅是IGBT通態(tài)壓降的三分之一
B.開(kāi)關(guān)速度快
C.工作溫度高
D.即使關(guān)斷失敗也不會(huì)損害器件

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多項(xiàng)選擇題

使用功率MOSFET時(shí)要注意（）。

A.防止靜電擊穿
B.防止二次擊穿
C.MOSFET不能承受反壓
D.柵源過(guò)電壓保護(hù)

多項(xiàng)選擇題

功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求是（）。

A.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的前后沿陡峭
B.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓應(yīng)高于開(kāi)啟電壓
C.信號(hào)電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時(shí)應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓

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