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PSM移相掩膜
答案:
相移掩膜上的電介質(zhì)層在光刻版上開口部分以間隔的方式形成相移圖形,通過沒有相移涂敷開口部分的光線,會(huì)與通過有相移涂敷開口的...
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正光刻膠
答案:
曝光區(qū)域變軟并最后被溶解。負(fù)膠則相反。
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光刻技術(shù)
答案:
圖形化工藝中將設(shè)計(jì)好的圖形從光刻板或背縮光刻板轉(zhuǎn)印到晶圓表面的的光刻膠上使用的技術(shù)。
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