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問答題

【簡答題】焰熔法優(yōu)點

答案： ①此方法生長單晶體不需要坩堝，因此既節(jié)約了做坩堝的耐高溫材料，又避免坩堝造成的污染；②氫氧焰燃燒溫度可達2800℃，可生...

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答案： ①在生長過程中，可以方便的觀察晶體的生長狀況；②晶體在熔體的自由表面處生長，而不與坩堝相接觸，可顯著減小晶體的應力并防止...