A.大，因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng)，使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū)，乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)
B.大，因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng)，使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)，乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
C.小，因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng)，使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)，乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
D.小，因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng)，使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū)，乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)

A.掃場下的高場和掃頻下的高頻，較小的化學(xué)位移值（δ）
B.掃場下的高場和掃頻下的低頻，較小的化學(xué)位移值（δ）
C.掃場下的低場和掃頻下的高頻，較大的化學(xué)位移值（δ）
D.掃場下的低場和掃頻下的低頻，較大的化學(xué)位移值（δ）