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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)

答案：溫度低，使用PR遮蔽層（擴(kuò)散硬遮蔽層），非等向性摻雜輪廓，可獨(dú)立控制摻雜濃度和結(jié)深，批量及單晶圓工藝（擴(kuò)散為單晶圓工藝）

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