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單項(xiàng)選擇題

已知MOS結(jié)構(gòu)的硅襯底費(fèi)米勢(shì)大于0，則該材料中的電子濃度（）空穴濃度。

A.大于
B.小于
C.等于
D.無(wú)法判斷

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單項(xiàng)選擇題

N型硅襯底的MOS結(jié)構(gòu)，當(dāng)其柵極施加（）偏壓時(shí)，半導(dǎo)體表面附近會(huì)形成一層（）層。

A.正，電子積累
B.負(fù)，電子積累
C.正，空穴反型層
D.正，電子反型層

單項(xiàng)選擇題

一個(gè)以N-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中，其閾值電壓應(yīng)該是（）的，積累狀態(tài)時(shí)所加的柵電壓應(yīng)該是（）的

A.正，正
B.正，負(fù)
C.負(fù)，正
D.負(fù)，負(fù)

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