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多項(xiàng)選擇題

實(shí)現(xiàn)CVD工藝保形覆蓋的關(guān)鍵因素有（）。

A.表面遷移
B.直接入射
C.再發(fā)射
D.到達(dá)角

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多項(xiàng)選擇題

CVD制備SiO₂的方法有（）。

A.中溫LPCVD
B.低溫APCVD
C.低溫PECVD
D.低溫LPCVD

多項(xiàng)選擇題

金屬W（鎢）的用途有（）。

A.局部互連
B.全局互連
C.鎢插塞
D.柵極

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