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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】試說(shuō)明熱氧化法的兩種基本方法及每種方法的生長(zhǎng)機(jī)理（或過(guò)程），并比較兩種方法的主要異同點(diǎn)。
答案：
干氧氧化：氧化開(kāi)始時(shí)，是氧分子與硅片表面的硅原子進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成初始氧化層，其反應(yīng)方程式為：Si+O2
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】什么是氧化硅中網(wǎng)絡(luò)形成者和網(wǎng)絡(luò)改變者？并舉二例說(shuō)明它們對(duì)氧化層結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的影響。
答案：
網(wǎng)絡(luò)形成者：是網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)發(fā)生變化；結(jié)構(gòu)上，改變氧化層中有氧橋和無(wú)氧橋的比例；性質(zhì)上，改變其密度硬度流動(dòng)性熔點(diǎn)及擴(kuò)散...
