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單項選擇題

MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。

A.有源區(qū)
B.場區(qū)
C.襯底區(qū)
D.阱區(qū)

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單項選擇題

氧化層中摻雜了硼雜質，一般稱為（）。

A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG

單項選擇題

如果制作柵氧結構，一般采用的方法是（）。

A.濕氧氧化
B.氫氧合成
C.CVD
D.干氧氧化

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