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問答題

【計(jì)算題】設(shè)電子和空穴的遷移率分別為1350cm²/V·S和500cm²/V·S，試計(jì)算本征硅在300K下的電導(dǎo)率。當(dāng)摻入百萬分之一的砷后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，計(jì)算其電導(dǎo)率，并將其與本征硅的電導(dǎo)率進(jìn)行比較。

答案：

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【計(jì)算題】室溫下鍺的本征電阻率為47Ω·cm，如果電子和空穴的遷移率分別為3900cm²/V·S和1900cm²/V·S，試求本征鍺的載流子濃度。

答案：

【計(jì)算題】計(jì)算施主摻雜濃度ND=9×10¹⁵cm^-3及受主摻雜濃度NA=1.1×10¹⁶cm^-3的硅在室溫下的電子濃度和空穴濃度以及費(fèi)米能級(jí)的位置。

答案：

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