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單項(xiàng)選擇題

盡量提高晶轉(zhuǎn)可以改善晶體中雜質(zhì)分布的徑向均勻性，如果晶轉(zhuǎn)過高，會(huì)導(dǎo)致固液界面的形狀（）。

A、形狀太凹
B、形狀太凸
C、過于平整
D、無變化

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單項(xiàng)選擇題

通過（）改變驅(qū)動(dòng)力場(chǎng)，借以控制生長(zhǎng)系統(tǒng)中的成核率，這是晶體生長(zhǎng)工藝中經(jīng)常使用的方法。

A、溫度場(chǎng)
B、磁場(chǎng)
C、重力場(chǎng)
D、電場(chǎng)

單項(xiàng)選擇題

硅的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（）.

A.金剛石型和直接禁帶型
B.閃鋅礦型和直接禁帶型
C.金剛石型和間接禁帶型
D.閃鋅礦型和間接禁帶型