- 搜標(biāo)題
- 搜題干
- 搜選項
單項選擇題
如果半導(dǎo)體中存在多種雜質(zhì)，在通常情況下，可以認(rèn)為基本上屬于雜質(zhì)飽和電離范圍，其電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系可近似表示為（）.
A.1/（NA-ND.eｕp
B.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.e
D.1/（NA+ND.eｕp
你可能感興趣的試題
問答題
【簡答題】用冷熱探筆法測量P型半導(dǎo)體時，為什么冷端帶正電，熱端帶負(fù)電？
答案：
樣品為P型材料，載流子的熱運動速度與溫度有關(guān)，熱區(qū)的空穴熱運動速度大，冷區(qū)的空穴熱運動速度小。因此，熱端向冷端運動的空穴...
問答題
【簡答題】從微觀上看，漩渦缺陷與錯位缺陷有什么區(qū)別？
答案：
漩渦缺陷：微觀上漩渦條紋由大量的淺蝕坑組成。是條紋處出現(xiàn)密集的平底淺坑單晶或腐蝕小丘單晶。
位錯缺陷：它屬于...
位錯缺陷：它屬于...
