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用冷熱探筆法測(cè)量()半導(dǎo)體時(shí),冷端帶正電,熱端帶負(fù)電。
A.P型
B.N
C.PN型
D.以上皆不是
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半導(dǎo)體材料的電阻率與(),以及載流子遷移率有關(guān)。
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硅半導(dǎo)體的導(dǎo)電過(guò)程存在()和空穴兩種載流子。
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