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離子注入中高能量意味著注入硅片更深處,低能量則用于超淺結(jié)注入。
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離子注入能夠重復(fù)控制雜質(zhì)的濃度和深度,因而在幾乎所有應(yīng)用中都優(yōu)于擴(kuò)散。
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離子注入的缺點(diǎn)之一是注入設(shè)備的復(fù)雜性。
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