97免费在线观看视频,亚洲综合自拍网,黄色毛片免费观看,热久久综合网,免费看日产一区二区三区狠狠操av,久久久涩涩涩,在线精品免费视频,人人插天天干,久久91精品国产91久久

<strong id="4kwot"><sub id="4kwot"><object id="4kwot"></object></sub></strong><pre id="4kwot"><strong id="4kwot"></strong></pre>

<blockquote id="4kwot"></blockquote>

判斷題

離子注入中靜電掃描的主要缺點是離子束不能垂直轟擊硅片，會導致光刻材料的陰影效應，阻礙離子束的注入。

答案：正確

你可能感興趣的試題

離子注入會將原子撞擊出晶格結構而損傷硅片晶格，高溫退火過程能使硅片中的損傷部分或絕大部分得到消除，摻入的雜質也能得到一定比例的電激活。

答案：正確

熱擴散中的橫向擴散通常是縱向結深的75%~85%。先進的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴散，因為它會導致溝道長度的減小，影響器件的集成度和性能。

答案：正確

<dl id="2vnwp"></dl><pre id="2vnwp"><legend id="2vnwp"></legend></pre>