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判斷題

LPCVD反應(yīng)是受氣體質(zhì)量傳輸速度限制的。

答案：正確

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高阻襯底材料上生長(zhǎng)低阻外延層的工藝稱為正向外延。

答案：錯(cuò)誤

CVD是利用某種物理過(guò)程，例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移，即原子或分子由源轉(zhuǎn)移到襯底（硅）表面上，并淀積成薄膜。

答案：錯(cuò)誤

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