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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述非晶氫化氮化硅（α-SiNx：H）薄膜的優(yōu)點(diǎn)及其制備工藝。
答案：
（1）H原子對(duì)硅材料中的體缺陷和晶界起到鈍化作用，降低表面復(fù)合速度，進(jìn)而提高VOC和ISC。
（2）氮化硅還有...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述太陽(yáng)電池發(fā)電的基本原理。
答案：
（1）大于半導(dǎo)體禁帶寬度的入射光子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生電子-空穴對(duì)；
（2）空間電荷區(qū)產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)在內(nèi)建電場(chǎng)作...
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