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填空題

晶體硅片蝕刻清洗的生產(chǎn)工藝有酸性蝕刻和堿性蝕刻兩種，其中酸性蝕刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸當(dāng)緩沖劑，一般去除約10-20µm厚的表面層。

答案：氫氟酸

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目前多晶硅原料的制備方法主要有三氯氫硅法（改良西門子法）和（）兩種方法。

答案：硅烷法

對于晶體硅太陽能電池，環(huán)境對開路電壓和短路電流有一定影響，其中受溫度影響較大的是（），受太陽輻照度影響較大的是（）

答案： UOC；ISC

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