A.絕緣良好的設(shè)備tgδ值不隨試驗電壓的升高而偏大，只在接近額定電壓時才略微增加
B.絕緣嚴重受潮的設(shè)備在較低的電壓下，tgδ值就較大，隨著電壓的升高tgδ值增大
C.發(fā)生氣隙局放設(shè)備達到局放起始放電電壓時，tgδ急劇增高
D.絕緣中含有離子型雜質(zhì)的設(shè)備，tgδ隨電壓上升而下降

A.鐵芯多點接地引起的過熱
B.漏磁引起的夾件或其他金屬構(gòu)件的過熱
C.導(dǎo)電回路焊接不良引起的過熱
D.導(dǎo)電回路螺絲松動處的過熱