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多項(xiàng)選擇題

在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）

A.在局部阻擋摻雜
B.對(duì)器件結(jié)構(gòu)造成連接或短路
C.對(duì)微小器件結(jié)構(gòu)造成溝型損傷
D.整片硅片報(bào)廢

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多項(xiàng)選擇題

分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）

A.快速熱退火及升溫速度和保持時(shí)間是否準(zhǔn)確
B.檢查是否有溝道效應(yīng)
C.檢查注入能量系統(tǒng)
D.檢查注入速度和時(shí)間是否準(zhǔn)確

多項(xiàng)選擇題

以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）

A.劑量與束流密度
B.射程與注入能量
C.注入角度
D.晶圓