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多項選擇題

一般來說，濺射鍍膜的過程包括（）這幾步。

A.產(chǎn)生一個離子并導(dǎo)向靶
B.被轟擊的原子向硅晶片運動
C.離子把靶上的原子轟出來
D.經(jīng)過加速電場加速
E.原子在硅晶片表面凝結(jié)

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單項選擇題

（）是指每個入射離子濺射出的靶原子數(shù)。

A.濺射率
B.濺射系數(shù)
C.濺射效率
D.濺射比

單項選擇題

（）方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來沉積不同金屬的應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)。

A.蒸鍍
B.離子注入
C.濺射
D.沉積

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