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單項選擇題

晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對二氧化硅的高選擇性。超薄的（）使得在刻蝕多晶硅電極時對它的刻蝕要盡可能的小。

A.n型摻雜區(qū)
B.P型摻雜區(qū)
C.柵氧化層
D.場氧化層

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單項選擇題

多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對（）的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時對柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.單晶硅
D.多晶硅

單項選擇題

請在下列選項中選出多晶硅化金屬的英文簡稱：（）。

A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide

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