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單項(xiàng)選擇題
濺鍍法,因?yàn)槠潆A梯覆蓋的能力不良,很容易造成因填縫不完全所留下的()。
A.鳥嘴
B.空洞
C.裂痕
D.位錯
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不可以對SiO
2
進(jìn)行干法刻蝕所使用的氣體是()。
A.CHF
3
B.C
2
F
6
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3
F
8
D.HF
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單項(xiàng)選擇題
大硅片上生長的()的不均勻和各個部位刻蝕速率的不均勻會導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。
A.薄膜厚度
B.圖形寬度
C.圖形長度
D.圖形間隔
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