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多項(xiàng)選擇題

在半導(dǎo)體工藝中，淀積的薄膜層應(yīng)滿(mǎn)足的參數(shù)包含有（）。

A.均勻性
B.表面平整度
C.自由應(yīng)力
D.純凈度
E.電容

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單項(xiàng)選擇題

為了防止抽氣設(shè)備對(duì)離子注入系統(tǒng)的油污染，可在靶室前增加一個(gè)（）或采用無(wú)油泵。

A.液氮冷阱
B.凈化阱
C.抽氣阱
D.無(wú)氣泵

單項(xiàng)選擇題

離子源的基本結(jié)構(gòu)是由產(chǎn)生高密度等離子體的（）和引出部分組成。

A.電極
B.分析器
C.加速器
D.腔體

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