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問答題
【論述題】CVD淀積過程中兩個(gè)主要的限制步驟是什么？它們分別在什么情況下會(huì)支配整個(gè)淀積速率？
答案：
CVD過程包括兩個(gè)部分：一、反應(yīng)劑在邊界層中的輸運(yùn)二、反應(yīng)劑在襯底表面的化學(xué)反應(yīng)存在兩種極限情況：①hg>>ks，Cs趨...
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問答題
【論述題】對(duì)于某種薄膜的CVD過程，淀積溫度為900℃，質(zhì)量傳輸系數(shù)hG=10cms-1，表面反應(yīng)速率系數(shù)ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。現(xiàn)有以下兩種淀積系統(tǒng)可供選擇（1）冷壁，石墨支座型；（2）熱壁，堆放硅片型。應(yīng)該選用哪種類型的淀積系統(tǒng)并簡(jiǎn)述理由。
答案：
反應(yīng)室類型熱壁：反應(yīng)室腔壁與硅片及支撐件同時(shí)加熱。一般為電阻絲加熱，可精確控制反應(yīng)腔溫度和均勻性。適合對(duì)溫度控制要求苛刻...
問答題
【論述題】
下圖是硅烷反應(yīng)淀積多晶硅的過程，寫出發(fā)生反應(yīng)的方程式，并簡(jiǎn)述其中1～5各步的含義。
答案：
（1）反應(yīng)氣體從腔體入口向晶圓片附近輸運(yùn)；
（2）這些氣體反應(yīng)生成系列次生分子；
（3）這些反應(yīng)物輸...
（2）這些氣體反應(yīng)生成系列次生分子；
（3）這些反應(yīng)物輸...
