A、音頻 B、電流 C、電壓 D、磁路磁阻
A、微米數量級 B、毫米數量級 C、厘米數量級 D、納米數量級
A、擴散硅芯片由單晶硅經過采用集成工藝技術經過摻雜、擴散制成 B、其硅片上沿單晶硅的特點晶向,制成應變電阻,構成惠斯凳電橋 C、集力敏與力電轉換檢測于一體 D、根據壓阻效應,將壓力轉換成破壞惠斯凳電橋橋路平衡的電流,再根據電流變化與壓力大小的非線性關系,推算壓力大小。