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單項(xiàng)選擇題

硅主要是由（）裝置中加注消泡劑引起的。少量硅沉積在催化劑孔口，導(dǎo)致活性下降，床層壓降上升。

A、常減壓
B、催化
C、重整
D、焦化

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單項(xiàng)選擇題

砷在催化劑床層內(nèi)會(huì)發(fā)生（），不均勻分布，沿床層軸向從上到下，依次減少。

A、平均分布
B、遷移
C、無(wú)規(guī)則分布
D、沿軸向反分布

單項(xiàng)選擇題

加氫原料重金屬含量可通過(guò)控制（）來(lái)降低。

A、密度
B、初餾點(diǎn)
C、中沸點(diǎn)
D、95%餾出點(diǎn)或干點(diǎn)

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