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MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
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當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
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P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
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