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多項(xiàng)選擇題

四管動態(tài)存儲單元電路不需要靈敏恢復(fù)/放大電路的原因是（）。

A.輸出高電平的電位足夠高
B.輸出低電平的電位足夠高
C.電容可以存儲電荷
D.用鎖存器的輸出存儲電平

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單項(xiàng)選擇題

QDR SDRAM為（）。

A.同步動態(tài)隨機(jī)存儲器
B.異步靜態(tài)隨機(jī)存儲器
C.2倍速同步隨機(jī)存儲器
D.4倍速同步動態(tài)隨機(jī)存儲器

單項(xiàng)選擇題

可變模計(jì)數(shù)器，或者其他多變化控制電路可用（）輸入條件改變。

A.編程
B.自動
C.移位寄存器的輸出
D.復(fù)位

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