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問答題

【簡答題】簡述離子注入效應。

答案：溝道效應：當注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時就發(fā)生了溝道效應。
控制溝道效應的方法：①傾斜硅片...

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【簡答題】簡述離子注入工藝相對于熱擴散工藝的優(yōu)缺點。

答案：優(yōu)點：①精確地控制摻雜濃度和摻雜深度；
②可以獲得任意的雜質濃度分布；
③雜質濃度均勻性、重復性好；...

結深

答案：雜質擴散濃度分布曲線與襯底摻雜濃度曲線交點的位置稱為結深。