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問答題

【計算題】在摻入硼的非簡并p型硅樣品中含有一定濃度的銦，在室溫下電阻率為2.84Ω˙cm，已知所摻硼的濃度N_a1=10¹⁶10/cm³，硼的電離能E_a1-Ev=0.045eV，銦的電離能E_a2-Ev=0.16eV，求樣品中銦的濃度。Nv=1.04×10¹⁹/cm³，μ_p=200cm²/v˙s。

答案：

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【計算題】
在室溫下，高純鍺的電子遷移率μ_n=3900cm²/v˙s，設電子的有效質量為m_n=3×10^-29g，求：
（1）熱運動速度平均值
（2）平均自由時間
（3）平均自由路程
（4）在外加電場為10/Vcm時的漂移速度

答案：

【計算題】
準經(jīng)典近似下，金屬中電子漂移速度為。設ε=ε₀e^iωt，求在頻率ω下的金屬電導率。

答案：

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