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問答題

【簡答題】簡述常壓單晶外延和多晶薄膜沉積裝置。

答案：三種裝置不僅可以用于硅外延生長，也較廣泛的用于GaAs，AsPAs，GeSi合金和SiC等其它外延層生長；還可用于氧化硅...

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答案：

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（3）氣體控制系統(tǒng)；
（4）排氣系統(tǒng)

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答案：兩種常見的流體流動(dòng)方式：流速與流向均平順者稱為“層流”；流動(dòng)過程中產(chǎn)生擾動(dòng)等不均勻現(xiàn)象的流動(dòng)形式，則稱為“湍流”。

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