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問答題

【計(jì)算題】試用一維非均勻摻雜（摻雜濃度隨x的增加而下降）的非簡并p型半導(dǎo)體模型導(dǎo)出愛因斯坦關(guān)系：

答案：

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【案例分析題】
設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，
導(dǎo)帶極小值附近的能量
價(jià)帶極大值附近
式中m為電子質(zhì)量，
求出導(dǎo)帶底的電子躍遷到價(jià)帶頂時(shí)準(zhǔn)動(dòng)量的改變量，能量的改變量。

答案：

【案例分析題】
設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，
導(dǎo)帶極小值附近的能量
價(jià)帶極大值附近
式中m為電子質(zhì)量，
求出導(dǎo)帶底電子的有效質(zhì)量和價(jià)帶頂空穴的有效質(zhì)量。

答案：