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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述邊界層理論的成功之處。
答案：
（1）它提出了在氧化物上的化學(xué)吸附在許多情況下涉及到氧化物的缺陷，所以伴隨著化學(xué)吸附，氧化物的半導(dǎo)性將按可以預(yù)言的方向變...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述晶體結(jié)構(gòu)的缺陷，并說(shuō)明它們產(chǎn)生的原因。
答案：
所有結(jié)構(gòu)基元完整的周期排列的晶體不能存在，真實(shí)的晶體有各種各樣的不完整性存在，稱之為晶體結(jié)構(gòu)的缺陷。它們產(chǎn)生的原因有多種...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述化學(xué)吸附的單層與物理吸附的單層的不同之處。
答案：
化學(xué)吸附的單層吸附量，即為占領(lǐng)吸附劑的所有吸附部分所需的吸附質(zhì)的量，而吸附質(zhì)的吸附部位則是由吸附劑的結(jié)構(gòu)和吸附物的化學(xué)性...
