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制備光刻掩膜版,希望黑白區(qū)域間的過渡區(qū)越大越好。
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在紫外光曝光、X射線曝光、電子束曝光技術(shù)中可實(shí)現(xiàn)直寫式曝光不需要掩模版的是X射線曝光技術(shù)。
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判斷題
通常稱在低阻襯底材料上生長(zhǎng)高阻外延層的工藝為正向外延,反之稱為反向外延。
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