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判斷題

有限表面源擴散與離子注入的雜質分布都滿足高斯函數(shù)，兩種摻雜工藝雜質最高濃度位置都在硅片表面。

答案：錯誤

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離子注入工藝中被摻雜的材料稱為靶，靶材料可以是晶體，也可以是非晶體，非晶靶也稱為無定形靶。

答案：正確

熱擴散摻雜的工藝可以一步實現(xiàn)。

答案：錯誤